很多时候，我们对半导体器件的静电击穿无法准确的判断， 特别是那些由于小容量的电荷引起的介质击穿以及检测缺陷的位置等；我们都得知静电击穿的是否已经发生，是否已经对产品不造成损坏呢，这需要一个判定的标准和方法。

如何对器件进行静电击穿检测呢？一般来说，我们可以通过光学显微镜直接进行观察，这里就简单介绍一下几种检测的办法：

1、用电子显微镜或扫描电子显微镜(SEM)观察

2、光辐射法

用显微镜在昏暗的视野下进行观察，同时，将结区电压慢慢地增加，这样，当结区发生击穿时，在击穿的地万便会发光。这是由于在结区的电子与空穴复合时所释放出的能量以光子的形式辐射出来了。

3、选择性化学腐蚀法

这是一种使用易于腐蚀si、而难于腐蚀SiO2的液体来对形成氧化膜的试样进行腐蚀的方法。如果在氧化膜中存在有缺陷，则通过这个缺陷，si就会被腐蚀，便能观察到特有的腐蚀坑，这样，便可对缺陷进行评估。

4、利用液晶观察热点

因静电放电而产生的热击穿，可利用向列型液晶来观察热点的位置，这是一种比较简便的万法。

5、EBIC法

电子束感应电流法(简称EBIC法)是测量由于扫描电子显微镜电子束的照射，在半导体中形成的电子空穴对引起的电流的方法。这是一种非破坏性的实验方法，可以了解在表面之下的电特性和物理特性。

6、电压对比法

电压对比法与前面的EBIC法类似。利用这种方法的电子束探针，可以代替以往的钨探针，它是一种分析故障的高分辨率的探针。

7、EBEGC法

电子束增强选通电流法(简称EBEGC法)，这是一种将二次电子束与电子束引起的感应电流像叠加起来进行利用的一种方法。这种方法可以看作是EBIC法与电压对